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SK海力士在2025年SK AI峰会上公布了其DRAM内存和NAND闪存的长期发展规划,目前GDDR7的速度基本是30~32Gbps,SK海力士计划推出HBM5、从而释放GPU或ASIC芯片面积并降低接口功耗。以及面向移动设备的UFS 5.0闪存,同期还有GDDR7-Next显存以及PCIe 7.0 SSD,
在2026至2028年,并不是GDDR8,
在2029至2031年,
DRAM市场方面,在NAND方面,还有面向AI市场的高性能以及高带宽AI-N产品。
NAND方面,12层和16层堆叠的HBM4E,面向AI市场有专用的高密度NAND。LPDDR5R和第二代CXL LPDDR6-PIM。他们公布的产品线路图涵盖了HBM、